歡迎來到深圳市京都玉崎電子有限公司！
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產品分類 / PRODUCT
更新時間：2026-05-18 
瀏覽次數：202電壓偏高
離子能量大，易造成表層晶格損傷、離子注入、邊緣崩邊，微觀平整度變差，精度下降；薄樣品易打穿、輪廓變形。
電壓偏低
轟擊柔和，無表層形變、無結構破壞，表面納米級平整，尺寸控制準，制樣精度最高。
結論：高精度制樣優先低電壓
電流過大：束流集中不均，出現波紋、深淺色差、局部過蝕，平面精度差。
電流偏小：束流細膩均勻，去除量可控，平面度、截面直線度大幅提升，尺寸精度更高。
傾角過大（＞35°）：切削沖擊力強，脆性材料易微裂紋、邊角缺損，截面不筆直。
小傾角（10°~25°）：逐層平緩剝離，截面平直、邊緣規整、厚度均勻，尺寸與形貌精度優。
轉速不穩 / 轉速過低：樣品受轟擊時長不一，出現弧形曲面、偏磨、厚度偏差。
勻速中高速旋轉：全域受力一致，整面平整度一致，厚度公差極小，批量樣品精度統一。
真空不足：離子束散射、能量不均，表面出現霧面、麻點、研磨紋理，微觀精度嚴重下降。
高穩定真空：束流平行穩定，剝離量一致，表面光潔度與微觀形貌精度拉滿。
氣壓過高：離子雜亂發散，研磨面粗糙，精細尺寸難以把控。
氣壓適中偏低：離子束聚焦性好，去除量精準可控，適合微量修磨、精密定厚。
無冷卻 / 冷卻不足：樣品熱脹冷縮，產生熱形變、翹曲、分層開裂，外形與結構精度失效。
強制冷卻：恒溫加工，杜絕熱變形，原始結構完整保留，形貌、尺寸零偏移。
時長不足：殘留機械劃痕、損傷層，達不到目標精度。
過度研磨：輪廓尺寸縮水、薄層結構消失，精準尺寸失控。
結論：精準控時是精度收尾關鍵
單槍：單側研磨，易出現傾斜面，對稱精度差。
對向雙槍 / 三槍：多角度均衡轟擊，平面平行度、對稱度、整體平整度達到最高精度。
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