歡迎來到深圳市京都玉崎電子有限公司！
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產品分類 / PRODUCT
更新時間：2026-06-22 
瀏覽次數：122膠層過厚
膠水熱膨脹系數遠大于硅片與金屬試件，溫度升降時，膠層自身伸縮會給硅條施加額外虛假應變，產生額外零點溫漂；原廠匹配的補償量無法抵消這部分附加變形，綜合溫度誤差顯著變大。
厚薄不均、局部氣泡
氣泡區域傳熱慢，溫度變化時硅片與基材不同步變形，出現動態溫漂：升溫、降溫過程零點漂移不一致，補償精度在變溫過程中嚴重惡化；恒溫下誤差會小幅回落，但無法恢復標稱精度。
zui 優工藝：薄而均勻一層膠，無氣泡、無溢膠。
低溫固化、固化時間不足
膠水交聯不wan全，內部存在未釋放的粘接應力；溫度升高時，膠水持續緩慢收縮 / 膨脹，應力緩慢釋放，零點持續漂移，出現隨時間變化的溫度誤差，補償wan全失效。
未按膠水要求加溫固化
常溫固化膠、高溫環氧膠各有固化溫度，固化溫度不達標，粘接強度差、內應力巨大，溫漂能比標準工藝大 2～5 倍。
缺少高低溫時效去應力
固化完成直接上機使用，膠層、硅片、試件之間殘余預應力未消除；溫度循環過程中應力反復釋放，靈敏系數 K 隨溫度波動，靈敏度溫度誤差增大。
標準優化流程：固化→常溫靜置 24h→3～5 次高低溫循環時效，釋放殘余應力，才能達到廠家標稱補償精度。
貼片時強行拉扯應變片、表面不平整、局部翹曲，會給硅敏感柵施加初始預應力。
硅的壓阻溫度特性對應力非常敏感，預應力會改變硅的電阻溫度系數與壓阻溫度系數，原廠設計好的 “溫漂抵消平衡關系" 被打破，同等溫度變化下殘余溫漂大幅上升。
剛性陶瓷基底的自補償片，若強行貼在曲率較大工件上，硅條受彎曲預應力，溫度補償精度下降尤為明顯。
引線過長、兩根引線長度不一致、引線未緊貼試件
銅引線有電阻溫度系數，溫度變化時引線電阻漂移會疊加到測量信號上，疊加額外溫度誤差，掩蓋應變片本身的補償效果。
引線硬拉扯焊接，焊點應力傳遞至硅電極，溫度循環下焊點應力釋放，零點緩慢漂移。
未做防潮、隔熱封裝
水汽滲入膠層后，水的熱脹冷縮會引入附加應變；環境冷熱氣流直吹應變片，硅片與試件存在溫差，二者變形不同步，熱輸出增大。
無遮光保護層
光照照射硅柵產生光生載流子，額外改變電阻，形成與溫度耦合的復合漂移，補償精度進一步下降。
標準規范工藝（薄膠 + 充分高溫固化 + 高低溫時效 + 等溫引線封裝）
P/N 雙元件自補償片可達到標稱 0.1%～0.3% FS 溫度誤差，發揮全部補償能力。
簡化工藝（薄膠、常溫固化、無時效應）
殘余內應力大，綜合溫漂上升至 0.4%～0.8% FS，補償精度下降一半左右。
劣質工藝（厚膠、氣泡、未固化、翹曲貼片）
附加熱應變、殘余應力疊加，溫度誤差可達 1.0%～2.0% FS，等同于失去自補償效果。
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